在基于等离子体的半导体工艺中，材料的耐久性与精度直接关系到生产效率。

碳化硅（SiC）凭借其出色的热导率、优异的抗等离子体性能及低颗粒生成特性，已成为广泛应用于 蚀刻（Etch） 和 化学气相沉积（CVD） 等高温工艺的代表性材料。

Ronda Korea 可根据客户工艺需求，设计并提供多种 SiC 部件，包括 上电极（Upper Electrode）、聚焦环（Focus Ring）、衬套（Liner） 等。这些产品在实际使用中因其耐用性与工艺一致性，获得众多客户的高度评价。

通过致力于提供切实提升工艺效率与良率的 SiC 产品系列，Ronda Korea 正持续强化其全球设备客户中的市场份额，并聚焦于高附加值产品，不断提升盈利能力。